韓國光子技術(shù)研究院10月18日宣布，已成功開發(fā)出“高效超細Micro-LED”，無論芯片尺寸和注入電流密度如何，該Micro-LED都能保持90%左右的內(nèi)部量子效率。

    據(jù)韓國光子技術(shù)研究院稱，光學半導體顯示研究部的 Jonghyup Baek 博士團隊、ZOGAN Semi 團隊（Woongryeol Ryu 博士）和漢陽大學納米光電子學系（Jongin Shim 教授） ），開發(fā)出不受芯片尺寸和電流密度影響的高效超細Micro-LED。

    此次開發(fā)的技術(shù)的特點是解決了因芯片尺寸減小而導致發(fā)光效率急劇下降的現(xiàn)象以及因注入電流增加而導致發(fā)光效率下降的現(xiàn)象，這對于無機Micro LED來說是一個難題。

    此前，盡管無機Micro-LED作為電視、手機、AR和VR等超現(xiàn)實顯示光源潛力無窮，但其缺點是難以應用于超高分辨率顯示由于芯片尺寸和電流密度的變化，發(fā)光效率發(fā)生嚴重波動，因此產(chǎn)品出現(xiàn)了問題。

    特別是在20μm以下的超微細尺寸下，不僅發(fā)光效率急劇下降，而且還存在驅(qū)動顯示面板所需的低電流部分復合損耗嚴重增加等問題。光子學與技術(shù)學院和一個聯(lián)合研究小組在氮化物半導體上開發(fā)了p型氧化物，通過生產(chǎn)一種半導體以單晶形式沉積的新結(jié)構(gòu)，解決了無機Micro-LED的難題。

    實驗結(jié)果表明，新結(jié)構(gòu)減輕了外延層中的應力，提高了發(fā)光效率，并抑制了Micro-LED的物理應力變化，無論外部電場或結(jié)構(gòu)如何。因此，即使芯片尺寸減小，所開發(fā)的結(jié)構(gòu)也顯著降低了表面非發(fā)光復合損耗并保持了高發(fā)光效率。

    所開發(fā)的“超精細Micro-LED”結(jié)構(gòu)已被證實不僅在藍色方面有效，而且在綠色和紅色氮化物發(fā)光器件中也有效，因此有望生產(chǎn)由全彩組成的Micro-LED顯示器氮化物半導體。

    韓國光子技術(shù)研究所所長Shin Yong-jin表示，“此次開發(fā)的低功耗、高效率的Micro-LED是超高分辨率顯示器的最佳光源，有望加速超高分辨率顯示器的商業(yè)化”。